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邮箱:量产12英寸硅片(缺陷密度<0.1/cm2),供货全球TOP3晶圆厂。采用CZ单晶生长技术,通过SEMI国际标准认证。正在开发第三代半导体衬底,目标2028年实现碳化硅片国产替代。
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邮箱:研制深潜器(下潜深度10000米),完成20次科考任务。采用钛合金耐压技术,通过DNV-GL国际认证。正在开发海底采矿系统,计划2027年实现商业化应用。
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